USB10H
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| Número de pieza | USB10H |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | USB10H | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5386 pcs | Ficha de datos | USB10H |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | SuperSOT™-6 | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V | Potencia - Max | 700mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 441pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A |
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